[实用新型]一种铁电薄膜的退火装置有效
| 申请号： | 202120513148.0 | 申请日： | 2021-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN214203636U | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 黄帅;李勇;罗开武;王强;田昌海;王应 | 申请（专利权）人： | 铜仁学院 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京中政联科专利代理事务所(普通合伙) 11489 | 代理人： | 覃毅 |
| 地址： | 554300 贵州省铜仁市*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种铁电薄膜的退火装置，包括退火腔、电场产生与控制系统、激光产生与控制系统和激光光路系统；其中，所述电场产生与控制系统用于产生直流电场或交流电场，且控制所述电场的大小和周期；所述激光产生与控制系统用于产生波长可调的激光，并控制激光输出的功率和频率；所述激光光路系统将激光从所述激光产生与控制系统引出，输入进所述退火腔，并投射到置于所述退火腔中的铁电薄膜上，利用激光的热效应对铁电薄膜退火处理。该退火装置解决铁电场效应晶体管存储器制备工艺中存在的问题，即解决铁电薄膜的制备工艺及其与CMOS集成电路制备工艺的兼容性等问题，以期实现铁电场效应晶体管存储器的实用化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 退火 装置 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
