[实用新型]气浮式吸取装置有效
| 申请号： | 202120528252.7 | 申请日： | 2021-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN214279940U | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | 郭永聪 | 申请（专利权）人： | 上利新科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H05K13/04 |
| 代理公司： | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人： | 南霆 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种气浮式吸取装置，包括底座、吸嘴、供气单元以及抽气单元。底座形成有供气道，且供气道通过开口连通于外部；吸嘴穿设于供气道内且一部分通过开口露出，开口的壁面与吸嘴间具有间隙，且吸嘴内形成有抽气道；供气单元连通于供气道；抽气单元连通于抽气道。 | ||
| 搜索关键词： | 气浮式 吸取 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
