[实用新型]一种基于梯度功能复合材料封装的压接型IGBT功率模块有效

专利信息
申请号: 202120578193.4 申请日: 2021-03-22
公开(公告)号: CN214378401U 公开(公告)日: 2021-10-08
发明(设计)人: 张豫川;钟星立;龙海洋 申请(专利权)人: 中冶赛迪工程技术股份有限公司;中冶赛迪技术研究中心有限公司
主分类号: H01L23/367 分类号: H01L23/367;H01L23/373;H01L23/10;H01L29/739;H01L25/07
代理公司: 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 代理人: 阴知见
地址: 400013*** 国省代码: 重庆;50
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型涉及一种基于梯度功能复合材料封装的压接型IGBT功率模块,集电极金属层和发射极金属层之间IGBT子模块包括从上到下依次压接的集电极梯度功能复合材料层、IGBT功率芯片、发射极梯度功能复合材料层、铜底座和栅极PCB板,压接后的IGBT子模块外套装封装外壳支架,压接后发射极梯度功能复合材料层和铜底座的缺口内放置有栅极弹簧顶针,集电极梯度功能复合材料层与集电极金属层和IGBT功率芯片集电极表面以及发射极梯度功能复合材料层与IGBT功率芯片的发射极表面和铜底座的热膨胀系数相匹配,解决现有压接型IGBT功率模块中IGBT功率芯片与封装材料组件间热膨胀系数不匹配导致组件界面电热接触性能下降、散热效率降低、器件使用寿命缩短的问题。
搜索关键词: 一种 基于 梯度 功能 复合材料 封装 压接型 igbt 功率 模块
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中冶赛迪工程技术股份有限公司;中冶赛迪技术研究中心有限公司,未经中冶赛迪工程技术股份有限公司;中冶赛迪技术研究中心有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202120578193.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top