[实用新型]低电容IGBT器件有效
| 申请号： | 202120578205.3 | 申请日： | 2021-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN214588866U | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 朱辉;潘恒 | 申请（专利权）人： | 安徽瑞迪微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 | 代理人： | 朱顺利 |
| 地址： | 241002 安徽省芜湖市弋江区*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种低电容IGBT器件，包括N型漂移区、两条沟槽栅、设置于两条沟槽栅之间的有源区、设置于N型漂移区上表面的浮空P区以及设置于所述沟槽栅和所述浮空P区之间的辅助槽。本实用新型的低电容IGBT器件，辅助槽的引入极大的降低了器件的弥勒电容，能够给器件带来较优的性能提升，并且不会降低任何参数指标。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 igbt 器件 | ||
【主权项】：
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