[实用新型]一种改进的可控硅结构有效
| 申请号： | 202120607919.2 | 申请日： | 2021-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN214672570U | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | 王希恒;陈桂红;王恒庆 | 申请（专利权）人： | 襄阳市建恒电气有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/06 | 分类号： | H01L23/06;H01L23/367;H01L23/48;H01L29/40;H01L29/74 |
| 代理公司： | 深圳市创富知识产权代理有限公司 44367 | 代理人： | 齐兴 |
| 地址： | 441000 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及可控硅技术领域，尤其是一种改进的可控硅结构，包括第一N型半导体，所述第一N型半导体两侧分别固定设有第一P型半导体和第二P型半导体，所述第一P型半导体和第一N型半导体相背的一侧上固定设有铝片，所述铝片和第一P型半导体相背的一侧上固定设有钼片，所述钼片上固定设有阳极引脚，所述第一N型半导体和第一P型半导体相背的一侧上固定设有第二P型半导体，所述第二P型半导体中镶嵌固定设有第二N型半导体，所述第二N型半导体上固定设有金锑片，所述金锑片和第二N型半导体相背的侧面设置在第二P型半导体的外部。本实用新型在使用时，在防护壳的作用下，能够延长该改进的可控硅结构的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改进 可控硅 结构 | ||
【主权项】：
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