[实用新型]用于低功耗芯片的过温保护电路有效
申请号: | 202120636323.5 | 申请日: | 2021-03-29 |
公开(公告)号: | CN214335582U | 公开(公告)日: | 2021-10-01 |
发明(设计)人: | 黄祥林;李富华 | 申请(专利权)人: | 苏州大学 |
主分类号: | G05F3/26 | 分类号: | G05F3/26 |
代理公司: | 江苏昆成律师事务所 32281 | 代理人: | 刘尚轲 |
地址: | 215000*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型提供用于低功耗芯片的过温保护电路,包括:第一电流镜、第二电流镜、第三电流镜、NMOS管NM1、NM2、三极管Q1、NM3、运算放大器AMP、NMOS管NM4、NM5、NM6、NM7、反相器INV1和反相器INV2,运算放大器AMP的同相端与NMOS管NM1的漏极连接反相端与NM6的源极连接,运算放大器AMP的同相端的电压为温度负相关的电压,反相端的电压为温度正相关的电压,输出端与反相器INV1连接,反相器INV1与反相器INV2串联,反相器INV1的输出信号VC_N到NMOS管NM2的栅极,反相器INV2的输出信号VC_P到NMOS管NM3的栅极,通过运算放大器AMP的同相端与反相端的电压大小进行比较,致使运算放大器AMP的输出端输出高电平或者低电平,从而改变NMOS管NM2与NMOS管NM3的通断状态,控制芯片正常工作或者芯片受保护被关闭。 | ||
搜索关键词: | 用于 功耗 芯片 保护 电路 | ||
【主权项】:
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