[实用新型]一种UBM跨越式晶圆级封装结构有效
| 申请号： | 202120662281.2 | 申请日： | 2021-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN214588835U | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 张杰 | 申请（专利权）人： | 江苏芯德半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/31 |
| 代理公司： | 南京华恒专利代理事务所(普通合伙) 32335 | 代理人： | 宋方园 |
| 地址： | 210032 江苏省南京市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种UBM跨越式晶圆级封装结构，包括芯片基层，所述芯片基层包含正表面和背表面，在正表面上设有第一压区和第二压区，在第一压区和第二压区之间设有第三压区单元，第三压区单元包含至少一个压区；凸块下金属化层，所述凸块下金属化层的接触端与至少和第一压区和第二压区连接，所述凸块下金属化层上方有焊接凸点；钝化层，所述钝化层形成与芯片基层的正表面，所述凸块下金属化层下方设有可跨越单个或多个再布线层。本发明的一种UBM跨越式晶圆级封装结构，UBM跨越再布线层（RDL层）或再钝化层（Repassivation）互联导通芯片不同区域压区的晶圆级封装新型结构，简化了晶圆级封装的工艺流程。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ubm 跨越 式晶圆级 封装 结构 | ||
【主权项】：
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