[实用新型]一种用于中子、伽马辐射环境的耐辐照相机机构有效

专利信息
申请号: 202120681342.X 申请日: 2021-04-02
公开(公告)号: CN214897649U 公开(公告)日: 2021-11-26
发明(设计)人: 范文杰;孟晓峰 申请(专利权)人: 北京普达迪泰科技有限公司
主分类号: G21F1/08 分类号: G21F1/08;G21F3/00;G21F1/10;H04N5/225;H04N5/235
代理公司: 北京国坤专利代理事务所(普通合伙) 11491 代理人: 赵红霞
地址: 100083 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 实用新型公开了一种用于中子、伽马辐射环境的耐辐照相机机构,具体涉及照相机领域,包括相机外壳,所述相机外壳的底端设置有伽马屏蔽端盖,所述伽马屏蔽端盖上端位于相机外壳的内部固定设置有中子屏蔽支撑板,所述中子屏蔽支撑板的上端固定安装有摄像头,所述摄像头外侧位于CMOS传感器的上方固定设置有伽马屏蔽前板和中子屏蔽前板,所述伽马屏蔽前板的上端固定设置有遮光板,所述相机外壳的上端固定设置有相机镜头盖板。本实用新型通过专用光路设计、中子屏蔽和伽马屏蔽结合的方式实现对中子、伽马辐射敏感器件CMOS传感器的保护,从而整体提升耐辐照相机在中子、伽马辐射环境的使用寿命。
搜索关键词: 一种 用于 中子 辐射 环境 辐照 相机 机构
【主权项】:
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