[实用新型]半导体刻蚀装置有效

专利信息
申请号: 202120682664.6 申请日: 2021-04-02
公开(公告)号: CN213424928U 公开(公告)日: 2021-06-11
发明(设计)人: 施杰;高亮 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司;台积电(中国)有限公司
主分类号: H01L21/3065 分类号: H01L21/3065;H01J37/02;H01J37/305;H01J37/32
代理公司: 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 代理人: 娜拉
地址: 中国台湾新竹市*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 本申请公开了一种半导体刻蚀装置,包括:刻蚀机,刻蚀机包括反应件和驱动件,所述驱动件可拆卸连接于所述反应件的一端;移位机,包括沿纵向延伸的支撑架、活动连接于所述支撑架的活动件和连接于所述活动件的卡锁件,所述卡锁件与所述反应件可拆卸连接,所述刻蚀机通过所述卡锁件连接至所述移位机,所述活动件相对所述支撑架移动或转动,以使所述刻蚀机移动挪位;工作台组,包括相互分离设置且分布于所述支撑架周侧的两个以上的工作平台,所述刻蚀机通过所述移位机在各所述工作平台之间移位。本申请提供的半导体刻蚀装置,通过整体的移动以方便快速的实现对刻蚀机在不同位置的清洗和安装,避免刻蚀机由于拆卸而产生加工精度的问题,省时省力。
搜索关键词: 半导体 刻蚀 装置
【主权项】:
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