[实用新型]碳化硅闸沟槽式功率场效晶体管器件有效
| 申请号： | 202120686112.2 | 申请日： | 2021-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN214753779U | 公开（公告）日： | 2021-11-16 |
| 发明（设计）人： | 李振道;孙明光 | 申请（专利权）人： | 江苏应能微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L29/10 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 王健 |
| 地址： | 213000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种碳化硅闸沟槽式功率场效晶体管器件，包括上金属层、下金属层、位于碳化硅衬底中的N型外延层、位于N型外延层中上部的轻掺杂P型阱层，轻掺杂P型阱层位于第一沟槽、第二沟槽之间区域的上部间隔地设置有第一重掺杂N型源极区、第二重掺杂N型源极区；轻掺杂P型阱层位于第一重掺杂N型源极区、第二重掺杂N型源极区之间区域上部具有一凹槽，所述第一沟槽、第二沟槽各自的深度均大于凹槽的深度，一重掺杂P型区从凹槽底面向下延伸至所述N型外延层内部。本实用新型碳化硅闸沟槽式功率场效晶体管器件既降低了器件的切换损耗，也改善了在高频下器件开关切换的耐冲击能力。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 沟槽 功率 晶体管 器件 | ||
【主权项】：
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