[实用新型]一种高质量氮化铝晶体生长装置有效
| 申请号： | 202120723628.X | 申请日： | 2021-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN214529322U | 公开（公告）日： | 2021-10-29 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B23/00 |
| 代理公司： | 哈尔滨市伟晨专利代理事务所(普通合伙) 23209 | 代理人： | 曹徐婷 |
| 地址： | 150000 黑龙江省哈尔滨市松北区智谷二街3*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 一种高质量氮化铝晶体生长装置，属于晶体生长装置领域。本实用新型解决了现有的用于物理气相运输(PVT)法生长氮化铝晶体装置的粉料原料提纯困难，纯度较低的粉料原料生长出的氮化铝晶体质量差的问题。本实用新型的坩埚体上阵列有多个坩埚籽晶室，坩埚体与坩埚籽晶室内部连通，坩埚体底部为原料放置区，坩埚体与坩埚籽晶室的连接处设置有氮气输入室，氮气输入室上加工有进气口，坩埚体与坩埚籽晶室的外侧布置有加热器，坩埚籽晶室上安装有籽晶，坩埚籽晶室底部为气体混合室，气体混合室分别与氮气输入室和原料放置区连通。通过本实用新型的氮化铝晶体生长装置将纯铝源加热形成的气相与纯氮源混合，生长出的氮化铝晶体质量高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 质量 氮化 晶体生长 装置 | ||
【主权项】：
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