[实用新型]一种新型单层芯片电容有效
| 申请号： | 202120731307.4 | 申请日： | 2021-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN214378041U | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 胡艺缤;丁敬垒 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第九研究所 |
| 主分类号： | H01G4/30 | 分类号： | H01G4/30;H01G4/14;H01G4/002 |
| 代理公司： | 绵阳市博图知识产权代理事务所(普通合伙) 51235 | 代理人： | 黎仲 |
| 地址： | 621000 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种新型单层芯片电容，属于微波元器件技术领域，从下至上依次包括下电极（1）、介质层（2）和上电极（3），在所述上电极（3）的表面设置有绝缘层（4）；本实用新型通过在电极层表面周围附着绝缘层，当上下电极焊料融化时，由于绝缘层的阻挡，可以有效的防止上下电极间短路，结构简单，易于制作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 单层 芯片 电容 | ||
【主权项】：
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