[实用新型]一种IGBT模块功率端子有效
| 申请号： | 202120783506.X | 申请日： | 2021-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN214378957U | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 产启平;王凯锋 | 申请（专利权）人： | 合肥中恒微半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01R13/02 | 分类号： | H01R13/02 |
| 代理公司： | 合肥律众知识产权代理有限公司 34147 | 代理人： | 殷娟 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市高新区*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种IGBT模块功率端子，包括，“门框型”电源连接部、与“门框型”电源连接部的自由端连接的“C型”缓冲部、与所述“C型”缓冲部的游离端连接的水平支撑部，与水平支撑部连接的焊接部，所述“C型”缓冲部靠口朝向外侧，所述水平支撑部设置有槽型缺口，所述焊接部固定在水平支撑部的槽型缺口朝向一侧。设置“C型”缓冲部能有效的缓冲上端安装时产生的压力，避免压力直接传递到DBC上，导致DBC上的受力突变，陶瓷开裂。设置槽型缺口可以增大焊接部的悬臂长度，提升焊接区域的强度，而且也能起到很好的缓冲作用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 igbt 模块 功率 端子 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥中恒微半导体有限公司，未经合肥中恒微半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202120783506.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
