[实用新型]一种硅基III-V族轴向异质结垂直纳米线阵列APD器件有效
| 申请号： | 202120787700.5 | 申请日： | 2021-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN214625069U | 公开（公告）日： | 2021-11-05 |
| 发明（设计）人： | 刘林生;解文豪;陈春明;刘兴鹏;黄祥恩;宋树祥;董鹏堂;苗腾;李锡铭 | 申请（专利权）人： | 广西师范大学 |
| 主分类号： | H01L31/107 | 分类号： | H01L31/107;H01L31/0352;H01L31/18;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 桂林文必达专利代理事务所(特殊普通合伙) 45134 | 代理人： | 白洪 |
| 地址： | 541004 广西壮*** | 国省代码： | 广西;45 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种能够提高Si和InGaAs的异质结界面质量，并且具有低暗电流，低噪声，高性能的硅基III‑V族轴向异质结垂直纳米线阵列APD器件。该硅基III‑V族轴向异质结垂直纳米线阵列器件包括衬底；所述衬底上设置有绝缘介质层；所述绝缘介质层内设置有垂直纳米线阵列；采用该硅基III‑V轴向异质结垂直纳米线阵列器件以硅作衬底，工艺与现有集成电路工业兼容，具有产业化的前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 iii 轴向 异质结 垂直 纳米 阵列 apd 器件 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
