[实用新型]一种IGBT过压控制电路和电磁加热控制芯片有效
| 申请号： | 202120788566.0 | 申请日： | 2021-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN214591357U | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 吴家洪;周彦;杨勇;柳泽宇;苗小雨 | 申请（专利权）人： | 中微半导体（深圳）股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/08 | 分类号： | H03K17/08;H02H7/20 |
| 代理公司： | 重庆中之信知识产权代理事务所(普通合伙) 50213 | 代理人： | 邓锋 |
| 地址： | 518051 广东省深圳市南山区南头*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种IGBT过压控制电路和电磁加热控制芯片，所述控制电路包括：第一DAC模块用于输出第一阈值电压，第二DAC模块用于输出第二阈值电压；第一比较器用于将所述外部IGBT的集电极电压与所述第一阈值电压进行比较，当所述集电极电压大于所述第一阈值电压时输出第一比较结果；第二比较器用于将所述外部IGBT的集电极电压与所述第二阈值电压进行比较，当所述集电极电压大于所述第二阈值电压时输出第二比较结果；脉宽发生器用于根据所述第一比较结果控制所述外部IGBT的导通时长，还用于根据所述第二比较结果控制所述IGBT的关断；解决了现有技术中IGBT过压控制电路不能及时有效的保护IGBT的问题，完善了IGBT过压保护机制，提高了对IGBT电压控制的精准性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 igbt 控制电路 电磁 加热 控制 芯片 | ||
【主权项】：
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