[实用新型]用于反激式变换器的功率集成二极管芯片结构有效
| 申请号： | 202120795186.X | 申请日： | 2021-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN215183982U | 公开（公告）日： | 2021-12-14 |
| 发明（设计）人： | 李学会;喻双柏;孙军;温正欣;和巍巍;汪之涵;傅俊寅;魏炜 | 申请（专利权）人： | 深圳基本半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H02M1/00;H02M3/335 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市坪山区坑梓街道办*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种用于反激式变换器的功率集成二极管芯片结构。该结构自下至上依次包括阴极金属、衬底、外延层、多晶硅层、介质层及阳极金属。所述阴极金属及阳极金属分别作为芯片的两个电极。所述外延层与所述衬底具有相同的导电类型。所述外延层的上部形成有用于形成纵向PN结的第一阱区、用于终端环区的若干第二阱区及用于形成横向PN结的沟槽。所述第一阱区与所述外延层构成高压慢恢复二极管的有源区。所述若干第二阱区与所述外延层构成终端环区。所述沟槽用于构成中低压横向二极管的有源区。本实用新型结构简单、体积更小、慢恢复特性更佳，并能减少与其相连的MOS管截止瞬间的过冲电压。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 反激式 变换器 功率 集成 二极管 芯片 结构 | ||
【主权项】：
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