[实用新型]一种背结晶硅电池有效
申请号: | 202120851963.8 | 申请日: | 2021-04-23 |
公开(公告)号: | CN215183997U | 公开(公告)日: | 2021-12-14 |
发明(设计)人: | 张树德;刘玉申;况亚伟;赵保星;符欣;连维飞;倪志春 | 申请(专利权)人: | 苏州腾晖光伏技术有限公司;常熟理工学院 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18 |
代理公司: | 苏州华博知识产权代理有限公司 32232 | 代理人: | 杨敏 |
地址: | 215542 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型提供一种背结晶硅电池,其包括:P型硅片、正面钝化减反层、正面金属栅线;其中,所述正面钝化减反层形成在所述P型硅片的正面上,所述正面金属栅线为周期性的分段结构,单个周期的分段结构包括铝电极和正面银电极,其中,所述铝电极形成于所述正面钝化减反层上并穿透所述正面钝化减反层与所述P型硅片接触,所述正面银电极形成于所述正面钝化减反层上并与所述铝电极搭接接触。本实用新型的背结晶硅电池无需复杂的局部重掺步骤,也无需高温的硼扩;而且银电极的遮光面积小,从而提高硅片的光吸收效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 结晶 电池 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的