[实用新型]高电子迁移率晶体管结构和高电子迁移率晶体管有效
| 申请号： | 202120908459.7 | 申请日： | 2021-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN214705936U | 公开（公告）日： | 2021-11-12 |
| 发明（设计）人： | 蔡政原 | 申请（专利权）人： | 深圳天狼芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 阳方玉 |
| 地址： | 518000 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种高电子迁移率晶体管结构和高电子迁移率晶体管，包括漏极半导体层、源极半导体层以及多个栅极半导体层，其中，漏极半导体层包括漏极主干层和多个间隔并列布置的漏极延伸层；源极半导体层包括源极主干层和多个间隔并列布置的源极延伸层，漏极半导体层的漏极延伸层的延伸侧与源极半导体层的源极延伸层的延伸侧相对布置；通过将栅极半导体层设置于相邻的两个源极延伸层之间，且环绕布置于漏极延伸层的外周，使得高电子迁移率晶体管结构在不增加整体面积的情况下，增大了栅极‑源极的相对面积，即提高了有效传导静电的面积，提高了ESD防护能力，解决了传统的高电子迁移率晶体管中存在有效传导静电的面积较小且静电释放防护能力差的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 迁移率 晶体管 结构 | ||
【主权项】：
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