[实用新型]半导体制冷结构以及美容仪有效
| 申请号： | 202120923729.1 | 申请日： | 2021-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN214908019U | 公开（公告）日： | 2021-11-30 |
| 发明（设计）人： | 李兵 | 申请（专利权）人： | 深圳市予一电子科技有限公司 |
| 主分类号： | A61B18/18 | 分类号： | A61B18/18;A61F7/00 |
| 代理公司： | 深圳瑞天谨诚知识产权代理有限公司 44340 | 代理人： | 王昌花 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种半导体制冷结构及美容仪。其中，所述半导体制冷结构，包括PN电偶层以及PN电偶层两端的热面和冷面，所述PN电偶层包括若干对P型和N型半导体粒子联结成的电偶对；所述半导体制冷结构还包括中空金属基板，所述中空金属基板表面形成所述热面以及热端电路，与P型和N型半导体粒子的热端电连接，且直接与P型和N型半导体粒子的热端焊接；所述中空金属基板的中空内部形成内部空间且容纳有制冷介质，通过所述中空金属基板直接传导P型和N型半导体粒子热端的热量，由中空金属基板内部空间的制冷介质进行散热。所述美容仪的头部安装所述半导体制冷结构，用于给工作面制冷或者将冷面直接作为工作面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制冷 结构 以及 美容 | ||
【主权项】：
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