[实用新型]一种低功耗芯片的欠压保护电路有效

专利信息
申请号: 202120953683.8 申请日: 2021-05-06
公开(公告)号: CN214674306U 公开(公告)日: 2021-11-09
发明(设计)人: 李富华;黄祥林;马志寅;陈天浩 申请(专利权)人: 苏州大学
主分类号: H02H3/24 分类号: H02H3/24;H02H7/20
代理公司: 江苏昆成律师事务所 32281 代理人: 刘尚轲
地址: 215000*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 本申请提供一种低功耗芯片的欠压保护电路,包括:第一共源共栅电流镜、第二共源共栅电流镜、自偏置的共源共栅电流镜、PMOS管PM3、PMOS管PM4、PMOS管PM5、NMOS管NM5、反相器INV1和反相器INV2,所述PMOS管PM3的源极与电源VDD连接、漏极与PMOS管PM4的源极和PMOS管PM5的漏极连接,PMOS管PM3和PMOS管PM4的栅极均与一个温度无关的基准电压Vref连接,PMOS管PM5的栅极与反相器INV2的输出端连接,第二共源共栅电流镜与NMOS管NM5的漏极连接并且与反相器INV1的输入端连接,反相器INV1与反相器INV2串联,反相器INV2的输出信号Uvlo输出到后端的控制逻辑电路中控制芯片的不工作或正常工作,同时输出到PMOS管PM5的栅极使得PMOS管PM5截止或者导通,从而使得PMOS管PM3接入电路或者短路,实现迟滞的目的。
搜索关键词: 一种 功耗 芯片 保护 电路
【主权项】:
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