[实用新型]新型沟槽IGBT半导体器件有效
| 申请号： | 202121121004.7 | 申请日： | 2021-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN215578580U | 公开（公告）日： | 2022-01-18 |
| 发明（设计）人： | 戚丽娜;张景超;井亚会;俞义长;赵善麒 | 申请（专利权）人： | 江苏宏微科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/331 |
| 代理公司： | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人： | 陈红桥 |
| 地址： | 213022 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供了一种新型沟槽IGBT半导体器件，包括衬底，以及在所述衬底上依次外延形成的基区、阱区、源区，并且在所述基区和所述阱区中还设有多个真沟槽栅单元，以及设置于相邻所述真沟槽栅单元之间的假沟槽栅单元，其中，每个所述真沟槽栅单元两侧分别设有源区，并且在每个所述真沟槽栅单元和每个所述假沟槽栅单元底部还设有底部掺杂区。本实用新型能够实现局部超结结构以提高击穿电压，并能够实现结构厚度的降低以减小压降，从而能够减小电容面积和密勒电容，保证器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 新型 沟槽 igbt 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏宏微科技股份有限公司，未经江苏宏微科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202121121004.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种碳纤维材料组成的电缆沟盖板结构
- 下一篇：一种标志逆反测量仪
- 同类专利
- 专利分类
