[实用新型]半导体器件有效
申请号: | 202121162035.7 | 申请日: | 2021-05-27 |
公开(公告)号: | CN216054720U | 公开(公告)日: | 2022-03-15 |
发明(设计)人: | 韩健;顾悦吉;黄示;吕梦凡;张瑞丽;周琼琼;何火军 | 申请(专利权)人: | 杭州士兰集昕微电子有限公司 |
主分类号: | H01L29/739 | 分类号: | H01L29/739;H01L29/06;H01L27/02 |
代理公司: | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人: | 蔡纯;张靖琳 |
地址: | 310018 浙江省杭州市杭州*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 公开了一种半导体器件,包括:绝缘栅双极型晶体管,绝缘栅双极型晶体管包括元胞区和终端区,终端区位于元胞区外围;钳位结构,位于终端区,钳位结构包括多个无源半导体器件,多个无源半导体器件设置在绝缘栅双极型晶体管的栅极电极和集电极电极之间。本实用新型的半导体器件降低了器件的钳位电压,提高了器件的浪涌防护能力。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 | ||
【主权项】:
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