[实用新型]一种双晶改单晶内存模组有效
申请号: | 202121171487.1 | 申请日: | 2021-05-28 |
公开(公告)号: | CN215007529U | 公开(公告)日: | 2021-12-03 |
发明(设计)人: | 孔凡平 | 申请(专利权)人: | 厦门市原子通电子科技有限公司 |
主分类号: | G11C29/00 | 分类号: | G11C29/00 |
代理公司: | 厦门荔信航知专利代理事务所(特殊普通合伙) 35247 | 代理人: | 马小玲 |
地址: | 361101 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本实用新型涉及内存芯片模组技术领域,公开了一种双晶改单晶内存模组,包括:内存芯片、DIMM模块、驱动模块和电路板,所述内存芯片、DIMM模块和驱动模块均连接在电路板上;内存芯片为在芯片内部的上层晶圆不良的内存芯片,或者下层晶圆不良的内存芯片;DIMM模块的输入端连接CPU模块的输出端,DIMM模块的RCKE0、RCKE1、RODT0、RODT1、RS0_N、RS1_N、VDD和VSS端子连接驱动模块的八个输入端,驱动模块的八个输出端连接内存芯片的CKE0、CKE1、ODT0、ODT1、CS0、CS1、VDD和VSS端子。该内存模组实现了内存芯片的双晶改单晶,将不良内存芯片重新加以利用。 | ||
搜索关键词: | 一种 双晶 改单晶 内存 模组 | ||
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