[实用新型]一种双MCU隔离驱动MOS管的电路有效
申请号: | 202121238721.8 | 申请日: | 2021-06-04 |
公开(公告)号: | CN215580966U | 公开(公告)日: | 2022-01-18 |
发明(设计)人: | 张杰;孟宪策;杨亿;张淼;马天宇 | 申请(专利权)人: | 浙江亚太机电股份有限公司 |
主分类号: | H02P7/28 | 分类号: | H02P7/28;H02P3/08;H02M1/32;H02H9/00 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人: | 林超 |
地址: | 311203 浙江省杭*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种双MCU隔离驱动MOS管的电路。包括控制驱动模块M1、推挽输出电路M2、二极管信号隔离模块M3、MOS关断快速放电模块M4、低边MOS管驱动电机模块M5;两个MCU都能控制同一个低边MOS管来驱动电机;二极管信号隔离模块M3使得单个MCU发生短路或开路故障,其不会影响另一个MCU对模块M5的控制。存在MOS管关断快速放电模块M4为MOS管栅极G端与源极S端的寄生电容提供一条就近泄放电荷的路径,使得MOS管能快速关断并且降低开关损耗。本实用新型解决了双MCU控制同一个低边MOS管存在双MCU之间控制信号相互干扰问题,还解决了因MOS管寄生电容放电路径过长导致MOS管关断时间较长,开关损耗大的问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 mcu 隔离 驱动 mos 电路 | ||
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