[实用新型]一种Mirco OLED的PDL结构有效
| 申请号： | 202121273255.7 | 申请日： | 2021-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN214588907U | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 任艳刚;李雪原;韩旭;刘胜芳;赵铮涛 | 申请（专利权）人： | 安徽熙泰智能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52;H01L27/32 |
| 代理公司： | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 | 代理人： | 马荣 |
| 地址： | 241000 安徽省芜湖市芜湖长江*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种应用于Micro OLED技术领域的Mirco OLED的PDL结构，所述的Mirco OLED的PDL结构包括CMOS基板层(a)、Anode层(b)、PDL遮光隔离层(c)、OLED层(d)、TFE层(e)、OC1层(f)、RGB层(g)、OC2层(h)，所述的PDL遮光隔离层(c)选用黑色有机材料，本实用新型所述的MircoOLED的PDL结构，通过对PDL结构的改进，有效解决因PDL角度容易导致阴极断裂的问题，能够改善混色，避免横向导通造成串扰的问题，提高Mirco OLED整体性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mirco oled pdl 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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