[实用新型]肖特基二极管结构有效

专利信息
申请号: 202121280771.2 申请日: 2021-06-09
公开(公告)号: CN214956838U 公开(公告)日: 2021-11-30
发明(设计)人: 徐丽蓓;李小江 申请(专利权)人: 深圳市诠方半导体有限公司
主分类号: H01L23/367 分类号: H01L23/367;H01L23/40;H01L29/872
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518000 广东省深圳市龙华区民*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型公开了肖特基二极管结构,包括肖特基二极管结构,包括二极管本体,所述二极管本体的外表面固定连接有固定环,所述固定环的下端开设有第一卡槽,所述第一卡槽的内部卡接有第一卡块,所述第一卡块的一端固定连接有壳体,所述壳体的外表面固定连接有散热片。本实用新型中,通过设置的壳体与散热片,能够对肖特基二极管进行散热,从而提高肖特基二极管的散热能力,能够延长肖特基二极管的使用寿命,通过设置的限位槽、顶板、滑杆、挡板、弹簧、套筒、滑槽、卡槽、第一卡块、第二卡块、定位槽、滑槽、滑轨、限位环、定位环与定位槽,能够便于人们安装与拆卸散热片。
搜索关键词: 肖特基 二极管 结构
【主权项】:
暂无信息
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