[实用新型]一种具有低导通压降的槽栅型超势垒整流器件有效

专利信息
申请号: 202121316292.1 申请日: 2021-06-11
公开(公告)号: CN215299260U 公开(公告)日: 2021-12-24
发明(设计)人: 李铭;谢驰;王为;曾潇;李泽宏 申请(专利权)人: 贵州雅光电子科技股份有限公司;贵州恒芯微电子科技有限公司
主分类号: H01L29/861 分类号: H01L29/861;H01L29/06
代理公司: 贵阳中新专利商标事务所 52100 代理人: 刘楠
地址: 550081 贵州省*** 国省代码: 贵州;52
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摘要: 实用新型公开了一种具有低导通压降的槽栅型超势垒整流器件,包括背面金属层,第一导电类型半导体衬底,第一导电类型半导体漂移区、栅氧化层、多晶硅栅极、第一导电类型半导体重掺杂区、第二导电类型半导体体区、第一导电类型半导体重掺杂源区、正面金属层,本实用新型通过创造性设计栅氧化层、多晶硅栅极、第二导电类型半导体体区和第一导电类型半导体重掺杂源区结构布局,再通过设置第一导电类型半导体重掺杂区及布置,使得本实用新型可形成多道电流路径分布,且由于第一导电类型半导体重掺杂区,使得初始电流路径的导通电压更低,且稳定性高,从而大大降低了正向导通压降,提高了二极管正向过流能力,本实用新型工艺制备相对容易,实用性强。
搜索关键词: 一种 具有 低导通压降 槽栅型超势垒 整流 器件
【主权项】:
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