[实用新型]存储器装置和包括存储器装置的存储系统有效
申请号: | 202121328315.0 | 申请日: | 2021-06-15 |
公开(公告)号: | CN215578559U | 公开(公告)日: | 2022-01-18 |
发明(设计)人: | 金俊亨;权永振;金政垠;朴昞坤;赵晟元 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/1157 | 分类号: | H01L27/1157;H01L27/11582 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 刘美华;刘林果 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供了存储器装置和包括存储器装置的存储系统。所述存储器装置包括:下结构;堆叠结构,位于下结构上,堆叠结构包括沿竖直方向交替地堆叠的水平层和层间绝缘层,并且水平层中的每个包括栅电极;垂直结构,沿竖直方向穿透堆叠结构,垂直结构具有核心区、位于核心区上的具有垫金属图案的垫图案、介电结构以及位于介电结构与核心区之间的沟道层,介电结构包括面对核心区的侧表面的第一部分、面对垫金属图案的侧表面的至少一部分的第二部分以及数据存储层;接触结构,位于垂直结构上;以及导电线,位于接触结构上。因此,可以改善存储器装置的生产率、可靠性和电特性。 | ||
搜索关键词: | 存储器 装置 包括 存储系统 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的