[实用新型]一种晶体硅太阳电池及包含其的光伏组件有效
申请号: | 202121374732.9 | 申请日: | 2021-06-21 |
公开(公告)号: | CN214753787U | 公开(公告)日: | 2021-11-16 |
发明(设计)人: | 刘成法;陈达明;陈奕峰;张学玲;王子港;王倩;邹杨;王尧 | 申请(专利权)人: | 天合光能股份有限公司;天合光能(常州)科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18;H01L31/20 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 巩克栋 |
地址: | 213031 江苏省常*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型提供一种晶体硅太阳电池及包含其的光伏组件,所述晶体硅太阳电池包括依次设置的基底、薄膜层和电极;所述薄膜层包括第一薄膜区和第二薄膜区,所述第一薄膜区的厚度大于第二薄膜区的厚度;所述电极设置于第二薄膜区上并与基底形成接触。所述晶体硅太阳电池通过减薄与电极接触的第二薄膜区的厚度,在使第一薄膜区具有优异的钝化效果、光学性能和外观的情况下,改善电极与基底的接触电阻,减少电极区域的复合,使平均开路电压升高,并增加了第一薄膜区的光学性能及钝化性能的改善窗口。所述晶体硅太阳电池解决了电极烧蚀能力与薄膜成分及厚度不兼容的问题,有效提升了电池效率,具有大规模应用的前景。 | ||
搜索关键词: | 一种 晶体 太阳电池 包含 组件 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的