[实用新型]LPDDR降容电路及具有该电路的装置有效
| 申请号： | 202121394089.6 | 申请日： | 2021-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN215815199U | 公开（公告）日： | 2022-02-11 |
| 发明（设计）人： | 谢登煌;宋文杰;刘孜 | 申请（专利权）人： | 深圳市晶存科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 张志辉 |
| 地址： | 518048 广东省深圳市福田区福*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种LPDDR降容电路及具有其的装置，LPDDR降容电路包括SOC控制芯片、第一LPDDR芯片和第二LPDDR芯片；其中，SOC控制芯片、第一LPDDR芯片和第二LPDDR芯片均为32位的芯片，且都具有双通道；第二A通道的功能正常，第二B通道的功能异常；第三B通道的功能正常，第三A通道的功能异常；第一A通道与第二A通道连接，第一LPDDR芯片的16位数据线分别与SOC控制芯片的DQ0‑DQ15引脚一一对应连接；第一B通道与第三B通道连接，第二LPDDR芯片的16位数据线分别与SOC控制芯片的DQ16‑DQ31引脚一一对应连接。根据本实用新型的LPDDR降容电路，能够将一个只有A通道正常的LPDDR芯片和一个只有B通道正常的LPDDR芯片分别与SOC控制芯片连接起来，使得这两个LPDDR芯片均能正常使用，从而减少了资源浪费。 | ||
| 搜索关键词： | lpddr 电路 具有 装置 | ||
【主权项】：
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