[实用新型]一种VCSEL激光器结构有效
申请号: | 202121416687.9 | 申请日: | 2021-06-24 |
公开(公告)号: | CN216699075U | 公开(公告)日: | 2022-06-07 |
发明(设计)人: | 彭鹏;姚林松;陈丽祥 | 申请(专利权)人: | 威科赛乐微电子股份有限公司 |
主分类号: | H01S5/183 | 分类号: | H01S5/183 |
代理公司: | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人: | 黄宗波 |
地址: | 404000 重庆市*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | 本实用新型涉及半导体技术领域,公开了一种VCSEL激光器结构,包括依次连接的蓝宝石层、N‑contact金属层、N‑DNR层、有源区、氧化层、P‑DBR层和P‑contact金属层。本实用新型能够减少电子穿过VCSEL激光器的距离,从而减小VCSEL激光器的串联电阻。 | ||
搜索关键词: | 一种 vcsel 激光器 结构 | ||
【主权项】:
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