[实用新型]一种光线利用率高的光电二极管有效
申请号: | 202121481756.4 | 申请日: | 2021-07-01 |
公开(公告)号: | CN214203698U | 公开(公告)日: | 2021-09-14 |
发明(设计)人: | 黄海;李沐;周晓宏;毛婷 | 申请(专利权)人: | 北京敏光科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0203 | 分类号: | H01L31/0203;H01L31/0224;H01L31/0232 |
代理公司: | 北京头头知识产权代理有限公司 11729 | 代理人: | 白芳仿;刘锋 |
地址: | 100080 北京市海*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种光线利用率高的光电二极管,包括阴极板,所述阴极板的顶端固定连接有PN结,所述PN结内部沿轴向自下而上依次固定镶嵌有P型层、缓冲层、N型层,所述N型层的顶端居中固定连接有阳极块,所述PN结的顶端居中固定连接有第一固定筒,所述第一固定筒的上部同轴螺纹连接有第二固定筒,所述第二固定筒的上端固定连接有凸透镜。本实用新型一种光线利用率高的光电二极管实现了光电二极管灵敏度的及时调整,操作便捷,有效地提高了光电二极管的光线利用率,结构简单,制造成本低,使用起来也十分方便,实用性强,有利于产业化生产并在行业内大面积推广应用。 | ||
搜索关键词: | 一种 光线 利用率 光电二极管 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的