[实用新型]一种炉盖发黑处理的单晶生长炉有效
| 申请号： | 202121611789.6 | 申请日： | 2021-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN215668284U | 公开（公告）日： | 2022-01-28 |
| 发明（设计）人： | 黎志欣;逯占文 | 申请（专利权）人： | 大连连城数控机器股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 大连东方专利代理有限责任公司 21212 | 代理人： | 李洪福 |
| 地址： | 116000 辽宁省大连市甘井子区营城*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种炉盖发黑处理的单晶生长炉，包括炉体、保温筒、晶棒、水冷热屏、加热器、坩埚、埚帮、炉盖、炉盖吸热层和热屏吸热层；所述水冷热屏本体的内壁发黑处理，能够提高热吸收效果，结晶界面的结晶潜热能快速释放，起到提高拉速潜力作用。由于水冷屏上方空间大，同样存在热量积累，在所述炉盖上做发黑处理，有利于热辐射的热量更快速的释放，晶棒经历热历史温度降低和时间缩短。因此本实用新型能起到提高拉速作用，同时还能起到降低热施主，减少长晶后二次缺陷的产生。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发黑 处理 生长 | ||
【主权项】：
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