[实用新型]一种高发光效率的硅基发光器件有效
| 申请号： | 202121612568.0 | 申请日： | 2021-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN215988810U | 公开（公告）日： | 2022-03-08 |
| 发明（设计）人： | 陈艳军 | 申请（专利权）人： | 成都普瑞德半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/44;H01L33/38;H01L27/15 |
| 代理公司： | 上海氦闪专利代理事务所(普通合伙) 31354 | 代理人： | 李明;袁媛 |
| 地址： | 610093 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型属于发光器件技术领域，尤其是一种高发光效率的硅基发光器件，现提出以下方案，包括硅基发光器件本体，所述硅基发光器件本体的内部设置有P区，且硅基发光器件本体的内部设置有N区，所述P区和N区的底部外壁设置有PN结，所述硅基发光器件本体的内部设置有挖槽，且挖槽将PN结周围挖空，所述硅基发光器件本体的内部设置有负极，且硅基发光器件本体的内部设置有正极。本实用新型通过设置有挖槽，PN结通过挖槽变成立体器件之后，结区面积被有效扩大了,让PN结增加了侧面发光区域，提高了发光效率,同时，通过增加A‑A’方向挖槽的数量，可以大幅度增加侧面空间电荷区的数量，进一步提高PN结的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光 效率 器件 | ||
【主权项】：
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