[实用新型]MEMS热电堆红外传感器有效
| 申请号： | 202121639814.1 | 申请日： | 2021-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN215439669U | 公开（公告）日： | 2022-01-07 |
| 发明（设计）人： | 吕婷 | 申请（专利权）人： | 瑶芯微电子科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 卢炳琼 |
| 地址： | 201207 上海市浦东新区中国（上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供一种MEMS热电堆红外传感器，其中，位于上层的第二半导体层具有贯穿第二半导体层的第一刻蚀窗口，红外吸收层具有贯穿红外吸收层的第二刻蚀窗口，且位于冷结端的第一半导体层及第二半导体层的相对两面均与绝缘介质层相接触，位于热结端的第一半导体层与第二半导体层之间具有第一空腔，位于热结端的第二半导体层与红外吸收层之间具有第二空腔，且第一刻蚀窗口、第一空腔、第二刻蚀窗口及第二空腔相贯通。本实用新型仅保留冷结端的绝缘介质层，可减少导热横截面积，降低热结热量损耗，有效提高传感器的灵敏度，且在形成红外吸收层时可形成支撑部以对热电偶起到支撑作用，降低破裂概率，提高质量。 | ||
| 搜索关键词： | mems 热电 红外传感器 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于瑶芯微电子科技（上海）有限公司，未经瑶芯微电子科技（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202121639814.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种自动控制给料量的圆锥破碎机
- 下一篇：一种异形五金件加工用冲压模具
