[实用新型]一种多光路的深紫外激光剥离装置有效
| 申请号： | 202121687879.3 | 申请日： | 2021-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN215118849U | 公开（公告）日： | 2021-12-10 |
| 发明（设计）人： | 徐琳;蔡德敏;沈振华 | 申请（专利权）人： | 苏州纳维科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;B23K26/00 |
| 代理公司： | 苏州国诚专利代理有限公司 32293 | 代理人： | 李小叶 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市中国（江苏）自由贸易试验区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种多光路的深紫外激光剥离装置，包括深紫外激光光源、移动装置、分光路聚焦透镜和分光路镜组；分光路镜组包括三个反射镜，三个反射镜从前至后依次为弱透反射镜、半透半反射镜和全反射镜，深紫外激光光源设置于弱透反射镜的前方；三个反射镜的反射分光路上分别对应设有一个分光路聚焦透镜；移动装置上设有三个载样器，载样器具有载样腔室，待剥离样品放置于载样腔室中；分光路聚焦透镜位于对应的载样器与反射镜之间。该装置将深紫外激光单一光路分成多光路对待剥离样品进行剥离，使得激光能量利用率高，产出效率高，加工成本低，可以实现大尺寸自支撑单晶氮化镓衬底的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多光路 深紫 激光 剥离 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
