[实用新型]一种新型双晶改单晶内存模组有效
申请号: | 202121745083.9 | 申请日: | 2021-07-29 |
公开(公告)号: | CN215577703U | 公开(公告)日: | 2022-01-18 |
发明(设计)人: | 孔凡平 | 申请(专利权)人: | 厦门市原子通电子科技有限公司 |
主分类号: | G11C29/00 | 分类号: | G11C29/00 |
代理公司: | 厦门荔信律和知识产权代理有限公司 35282 | 代理人: | 杨光 |
地址: | 361101 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种新型双晶改单晶内存模组,其包括:第一内存芯片、第二内存芯片、使能单元和电路板,所述第一内存芯片、第二内存芯片和使能单元均连接在电路板上;第一内存芯片和第二内存芯片均设有CKE_0端子、ODT0端子、CS0_N端子、C0/CKE1端子、C2/ODT1端子和C1/CS1_N端子,所述使能单元的输入端设有八个端子,所述使能单元的八个输入端依次连接电路板上的电源的正极、电路板上的电源的负极、CPU处理器输出的CKE_0信号端子、ODT0信号端子、C0/CKE1信号端子、C2/ODT1信号端子、CS0_N信号端子、C1/CS1_N信号端子,使能单元的六个输出端并联连接所述第一内存芯片和第二内存芯片的对应端子。采用具有二极管和三极管的固定电路,可以实现不良芯片的合理利用,降低成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 新型 双晶 改单晶 内存 模组 | ||
【主权项】:
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