[实用新型]一种功率MOS器件低热阻封装结构有效
| 申请号： | 202121745215.8 | 申请日： | 2021-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN215342555U | 公开（公告）日： | 2021-12-28 |
| 发明（设计）人： | 缪志平 | 申请（专利权）人： | 盛廷微电子江苏有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/04 | 分类号： | H01L23/04;H01L23/06;H01L23/367;H01L29/78 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214200 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种功率MOS器件低热阻封装结构，包括装置主体，半导体硅衬底的底部安装有绝缘底座，且绝缘底座的内部均匀分布有散热孔，散热孔有利于散发MOS器件工作产生的热量，封装外壳为陶瓷封装外壳，且与装置主体紧密粘接，当在使用MOS器件时，装置主体采用了绝缘底座上安装有散热孔，使得MOS器件工作时产生的热量更加容易散发，解决了半导体硅衬底热阻过大的问题，且封装外壳使得MOS器件与外部环境除电气连接之外密封隔离，且增大了电流容量，极大的节约了电流损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 mos 器件 低热 封装 结构 | ||
【主权项】：
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