[实用新型]半导体MOS器件的封装结构有效
| 申请号： | 202121809538.9 | 申请日： | 2021-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN215496688U | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 田伟;廖兵 | 申请（专利权）人： | 苏州达晶半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/495;H01L29/78;H01L23/31 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 王健 |
| 地址： | 215163 江苏省苏州市高*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种半导体MOS器件的封装结构，其铜支撑框架上具有一镂空区，所述MOS芯片位于一导热陶瓷片的上表面；导热陶瓷片的下表面具有一凸起台，所述导热陶瓷片的凸起台嵌入铜支撑框架的镂空区内，所述铜支撑框架与MOS芯片相背的表面在镂空区两侧均设置有一条形铜凸部，一环氧封装体包覆于MOS芯片、铜支撑框架和栅极引脚、漏极引脚和源极引脚各自的焊接端上，所述条形铜凸部，所述条形铜凸部、凸起台各自的下表面与环氧封装体的下表面齐平。本实用新型半导体MOS器件的封装结构有利于热量及时散热，改善了散热性能，从而延长了器件使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 mos 器件 封装 结构 | ||
【主权项】：
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