[实用新型]功率MOS器件结构有效
| 申请号： | 202121809539.3 | 申请日： | 2021-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN215496735U | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 田伟;廖兵 | 申请（专利权）人： | 苏州达晶半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L23/367;H01L23/495;H01L23/31 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 王健 |
| 地址： | 215163 江苏省苏州市高*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种功率MOS器件结构，包括：MOS芯片、铜支撑框架、栅极引脚、漏极引脚和源极引脚，位于所述MOS芯片上表面的栅极区、漏极区和源极区分别通过第一金属线、第二金属线和第三金属线电连接到栅极引脚、漏极引脚和源极引脚各自的焊接端，所述铜支撑框架上具有一镂空区，所述MOS芯片位于一导热陶瓷片的上表面，此导热陶瓷片的下表面具有一凸起台，所述导热陶瓷片的凸起台嵌入铜支撑框架的镂空区内，所述凸起台的下表面从环氧封装体的下表面齐平。本实用新型功率半导体器件封装结构提高了器件的整体结构强度和稳定性，也有利于热量及时散热，改善了散热性能，从而延长了器件使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 mos 器件 结构 | ||
【主权项】：
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