[实用新型]一种具有特殊栅电极的HEMT器件有效
| 申请号： | 202121824044.8 | 申请日： | 2021-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN216354229U | 公开（公告）日： | 2022-04-19 |
| 发明（设计）人： | 姜涛 | 申请（专利权）人： | 乂馆信息科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/423;H01L29/40 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 李园园 |
| 地址： | 200080 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种具有特殊栅电极的HEMT器件，包括衬底结构、第一介质层、栅电极、源电极和漏电极，其中，所述衬底结构包括自下而上依次设置的衬底层、缓冲层、沟道层和势垒层；所述第一介质层设置在所述势垒层上方，且所述第一介质层上具有贯穿上下的第一开口；所述栅电极包括主体栅极和接触栅极，所述主体栅极设置在所述第一开口中，且所述主体栅极呈多个倒凸字形的叠加形状，所述主体栅极的宽度沿竖直方向自上而下呈变窄趋势；所述接触栅极设置在所述主体栅极上方。该HEMT器件具有特殊的栅电极形状，即若干个倒凸字形的叠加形状，能够获得较小的栅电极宽度，使HEMT器件达到更优越的频率特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 特殊 电极 hemt 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于乂馆信息科技（上海）有限公司，未经乂馆信息科技（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202121824044.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种设有螺旋透气防水元件的鞋底
- 下一篇：一种用于净水机的过滤装置
- 同类专利
- 专利分类
