[实用新型]能有效提升炉内共晶温度均匀性的共晶炉有效
| 申请号： | 202121873655.1 | 申请日： | 2021-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN216054594U | 公开（公告）日： | 2022-03-15 |
| 发明（设计）人： | 霍灼琴;张永聪;张建宏;祁靖杰;刘彦利;马生生 | 申请（专利权）人： | 西北电子装备技术研究所（中国电子科技集团公司第二研究所） |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;B23K1/008;B23K3/08;F27D9/00 |
| 代理公司： | 山西华炬律师事务所 14106 | 代理人： | 陈奇 |
| 地址： | 030024 山西*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种能有效提升炉内共晶温度均匀性的共晶炉，解决了现有共晶炉在共晶焊接中各共晶焊接点温度不均匀和生产节奏慢的问题；通过改变石英灯中的灯丝螺旋状缠绕密度的分布，并通过对石英灯的分组控制，提升共晶焊接传热板的温度的均匀性，并用导热率是石墨板导热率两倍以上的铝碳化硅板替代石墨板，大幅提高传热板的温度均匀性；同时，将传统的冷却惰性气体的炉内底部通入方式，改变为炉内上下同时通入冷却气体的方式，缩短了炉内冷却时间。本发明大大提升了共晶炉体内共晶元件传热支撑板的温度均匀性，降其上温差控制在正负2摄氏度之内。 | ||
| 搜索关键词： | 有效 提升 炉内共晶 温度 均匀 共晶炉 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
