[实用新型]碳化硅晶体生长装置有效
| 申请号： | 202121880828.2 | 申请日： | 2021-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN215593238U | 公开（公告）日： | 2022-01-21 |
| 发明（设计）人： | 洪棋典;张洁;廖弘基;杨树 | 申请（专利权）人： | 福建北电新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 严诚 |
| 地址： | 362200 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型实施例的碳化硅晶体生长装置，涉及晶体制备技术领域，本实用新型实施例的碳化硅晶体生长装置，在进行碳化硅晶体的生长制备时，能够在坩埚内的底部装盛碳化硅原料；在设置在坩埚顶壁内侧的籽晶夹持部上设置籽晶，在对碳化硅原料加热时，由于原料处温度较高，籽晶处温度较低，套管从籽晶夹持部的外周缘向坩埚的底壁延伸，因此升华的碳化硅气体会进入由套管和籽晶夹持部共同围成的生长反应腔，直接通向籽晶，在籽晶朝向坩埚的底壁的表面生长碳化硅晶体，从而套管能够将生长反应腔内的气态碳化硅与坩埚的内壁相隔绝，防止坩埚自身的杂质混入生长反应腔内的碳化硅气体中，提高了生长的碳化硅晶体的纯度，进而保证碳化硅晶体的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 晶体生长 装置 | ||
【主权项】：
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