[实用新型]一种半封闭结构漏磁传感器有效
申请号: | 202121884263.5 | 申请日: | 2021-08-12 |
公开(公告)号: | CN216978931U | 公开(公告)日: | 2022-07-15 |
发明(设计)人: | 郑新红;乔斌 | 申请(专利权)人: | 洛阳百克特科技发展股份有限公司 |
主分类号: | G01N27/83 | 分类号: | G01N27/83 |
代理公司: | 深圳贝谷知识产权代理事务所(普通合伙) 44635 | 代理人: | 韦乃荣 |
地址: | 471000 河南省*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种半封闭结构漏磁传感器,包括中空的壳体,所述壳体上表面设置有通槽,所述壳体长度方向的两端贯穿设置有半圆孔,所述通槽内部设置有半管状结构的承载套,所述承载套内圆面均匀设置有三个环形槽,三个所述环形槽内部均设置有导磁环,位于中部的环形槽内部设置有呈半环结构的电路板,所述电路板共有两块且分别位于中部的导磁环的两侧,所述电路板的内圆面均匀设置有霍尔元件,所述壳体底面设置有连接插头。有益效果在于:将霍尔元件集成在电路板的内圆面,将两块电路板设置在承载套内圆面的环形槽内部,配合中部的导磁环对两块电路板进行加固,使电路板和霍尔元件处于半封闭状态,稳固性好,不易损坏。 | ||
搜索关键词: | 一种 封闭 结构 传感器 | ||
【主权项】:
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