[实用新型]一种具有混合栅电极结构的氮化镓常关型器件有效
| 申请号： | 202121958168.5 | 申请日： | 2021-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN216671641U | 公开（公告）日： | 2022-06-03 |
| 发明（设计）人： | 蒲涛飞;李柳暗;敖金平 | 申请（专利权）人： | 宁波铼微半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/423;H01L29/40;H01L29/45;H01L21/335 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 李园园 |
| 地址： | 315800 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种具有混合栅电极结构的氮化镓常关型器件，该器件包括：依次设置于衬底层上的缓冲层、GaN沟道层、AlGaN层、P‑GaN帽层；设置于AlGaN层上的两个欧姆电极；设置于P‑GaN帽层上及P‑GaN帽层两侧的栅介质层；设置于欧姆电极与P‑GaN帽层两侧的栅介质层之间AlGaN层上的钝化层；设置于栅介质层上和填充栅介质层凹槽内的栅电极；其中，P‑GaN帽层上栅介质层上的栅电极和填充于若干凹槽内的栅电极构成MIS栅电极结构和肖特基栅电极结构的混合栅结构；P‑GaN帽层两侧的栅介质层上的栅电极和P‑GaN帽层两侧的栅介质层构成场板结构。本实用新型提高了器件栅电极的阈值电压，提高了器件的开关频率，同时提升了器件栅电极的长期可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 混合 电极 结构 氮化 镓常关型 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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