[实用新型]一种用于LPCVD模块的底座及其LPCVD模块有效
申请号: | 202122063121.9 | 申请日: | 2021-08-30 |
公开(公告)号: | CN215757602U | 公开(公告)日: | 2022-02-08 |
发明(设计)人: | 魏巍 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 周耀君 |
地址: | 201315*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本实用新型提供了一种用于LPCVD模块的底座及其LPCVD模块,LPCVD模块包括:具有第一连接端口和第二连接端口的底座本体、和具有第一注射器口和第二注射器口的注射器;其中,所述底座本体还具有第一气体引导管和第二气体引导管,所述第一气体引导管位于所述第一连接端口内,所述第二气体引导管位于所述第二连接端口内;所述第一连接端口与所述第一注射器口连接,所述第二连接端口与所述第二注射器口连接,由此本实用新型提供的用于LPCVD模块的底座及其LPCVD模块降低了所述注射器与所述底座本体安装不完美的情况下发生气体泄漏的风险,从而保障了后续产品的良率和可靠性。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 lpcvd 模块 底座 及其 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的