[实用新型]吸收率高的高灵敏度感光传感器有效
申请号: | 202122075959.X | 申请日: | 2021-08-30 |
公开(公告)号: | CN215771166U | 公开(公告)日: | 2022-02-08 |
发明(设计)人: | 李侃;钟金亮 | 申请(专利权)人: | 浩利源电子(深圳)有限公司 |
主分类号: | H01L31/0203 | 分类号: | H01L31/0203;H01L31/02;H05K1/02 |
代理公司: | 深圳市众元信科专利代理有限公司 44757 | 代理人: | 刘莹莹 |
地址: | 518103 广东省深圳市宝安区福*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开了吸收率高的高灵敏度感光传感器,包括:元件主体,所述元件主体通过引脚与电路板焊接,所述元件主体的外侧设有可将引脚覆盖的连接框,所述连接框上开设有可被引脚通过的通道槽;保护机构,所述保护机构安装在元件主体与连接框的外侧,所述保护机构可与数码相机外壳的内壁相抵接,本实用新型可以对传感器保护,在数码相机外壳受到撞击后,撞击力会部分传导至保护机构内,保护机构吸收部分,减小对传感器损坏的可能性,降低维修成本。 | ||
搜索关键词: | 吸收率 灵敏度 感光 传感器 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的