[实用新型]超高真空设备晶圆载盘有效
| 申请号： | 202122088580.2 | 申请日： | 2021-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN215418123U | 公开（公告）日： | 2022-01-04 |
| 发明（设计）人： | 陈意桥;王致凯;张国祯 | 申请（专利权）人： | 苏州焜原光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/687 |
| 代理公司： | 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 | 代理人： | 苏芳玉 |
| 地址： | 215211 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型是针对采用现技术载盘结构支撑超高真空设备晶圆，易使晶圆受热不均匀、造成热和材料泄漏，工艺条件观察不力、使得晶圆的有效使用面积减少的技术问题，提供一种超高真空设备晶圆载盘，它包括载盘本体，在载盘本体内表面设置有环状固定沿和直边固定沿，二者的上表面处于同一平面并相交，在载盘的直边固定沿上方的内圆周表面上设置有向圆周内表面外凸起的直边凸沿，直边凸沿直边固定沿相对，采用本实用新型结构的超高真空设备晶圆载盘，不仅能将晶圆支撑固定在载盘上，对晶圆的整个外表面进行限位，防止晶圆与载盘间发生相对位移，且可以防止晶圆角部与载盘直边固定沿与载盘内圆周表面形成的边角发生碰撞，使晶圆受热更均匀。 | ||
| 搜索关键词： | 超高 真空设备 晶圆载盘 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
