[实用新型]提高出光均匀度的紫外发光二极管芯片结构有效
| 申请号： | 202122285302.6 | 申请日： | 2021-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN216288491U | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 徐盛海;刘源;张威;林凡 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/38 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种提高出光均匀度的紫外发光二极管芯片结构，属于发光二极管领域。p型AlGaN层延伸至n型AlGaN层的凹槽在衬底的表面的正投影呈首尾相连状，在凹槽上层叠的等比例缩小的一次n电极可以围绕在p型AlGaN层的四周。而p型AlGaN层在衬底的表面的正投影的外轮廓呈H形，一次p电极在衬底的表面的正投影为p型AlGaN层在衬底的表面的正投影等比例缩小后得到的图案，减小了需要对发光层进行刻蚀的空间，保证出光位置集中在芯片的中部，且凹槽上层叠的一次n电极将电流从p型AlGaN层的四周导向p型AlGaN层中，电流进入较为均匀。最终可以有效提高得到的紫外发光二极管的出光均匀度。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 均匀 紫外 发光二极管 芯片 结构 | ||
【主权项】：
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