[实用新型]一种高效高可靠性SOT23-6封装MOSFET引线框架结构有效
申请号: | 202122602523.1 | 申请日: | 2021-10-28 |
公开(公告)号: | CN216288426U | 公开(公告)日: | 2022-04-12 |
发明(设计)人: | 陈侠;陈明;蒙嘉源;黄祥;田沁丰 | 申请(专利权)人: | 深圳电通纬创微电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/495 | 分类号: | H01L23/495 |
代理公司: | 深圳高企知识产权代理事务所(普通合伙) 44833 | 代理人: | 秦瑞 |
地址: | 518000 广东省深圳市龙岗*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种高效高可靠性SOT23‑6封装MOSFET引线框架结构,涉及芯片技术领域。该一种高效高可靠性SOT23‑6封装MOSFET引线框架结构,包括MOSFET芯片以及基岛,所述MOSFET芯片安装在基岛的中心位置,基岛上侧设置有Pin5脚位,基岛下侧设置有Pin2脚位,基岛上右侧设置有Pin6脚位,基岛下右侧设置有Pin1脚位,基岛上左侧通过焊线连接有Pin4脚位,基岛下左侧通过焊线连接有Pin3脚位。在保证产品功能的基础上,将Pin1脚位和Pin6脚位与基岛合并连接,基岛承载芯片尺寸能力提高20%;取消了原基岛与Pin1脚位和Pin6脚位的焊线连接,提高了50%的键合效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 高效 可靠性 sot23 封装 mosfet 引线 框架结构 | ||
【主权项】:
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