[实用新型]一种高效高可靠性SOT23-6封装MOSFET引线框架结构有效

专利信息
申请号: 202122602523.1 申请日: 2021-10-28
公开(公告)号: CN216288426U 公开(公告)日: 2022-04-12
发明(设计)人: 陈侠;陈明;蒙嘉源;黄祥;田沁丰 申请(专利权)人: 深圳电通纬创微电子股份有限公司
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495
代理公司: 深圳高企知识产权代理事务所(普通合伙) 44833 代理人: 秦瑞
地址: 518000 广东省深圳市龙岗*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型公开了一种高效高可靠性SOT23‑6封装MOSFET引线框架结构,涉及芯片技术领域。该一种高效高可靠性SOT23‑6封装MOSFET引线框架结构,包括MOSFET芯片以及基岛,所述MOSFET芯片安装在基岛的中心位置,基岛上侧设置有Pin5脚位,基岛下侧设置有Pin2脚位,基岛上右侧设置有Pin6脚位,基岛下右侧设置有Pin1脚位,基岛上左侧通过焊线连接有Pin4脚位,基岛下左侧通过焊线连接有Pin3脚位。在保证产品功能的基础上,将Pin1脚位和Pin6脚位与基岛合并连接,基岛承载芯片尺寸能力提高20%;取消了原基岛与Pin1脚位和Pin6脚位的焊线连接,提高了50%的键合效率。
搜索关键词: 一种 高效 可靠性 sot23 封装 mosfet 引线 框架结构
【主权项】:
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